会期および会場
- 会期：2018年10月10日（水）～ 12日（金）
- 会場：ホテル＆リゾーツ長浜（滋賀県長浜市）
プログラム
EMS37の全プログラムはこちら（PDFリンク)
プレナリー講演
- 荒川 泰彦（東大）
量子ドットフォトニクスの発展～基礎研究から実用化まで～
一般講演
招待講演
- 押山 淳（名大）
パワー半導体へのコンピューティクス・アプローチ：窒化物成長と炭化ケイ素界面同定 - 熊谷 義直（農工大）
ハライド気相成長法によるβ酸化ガリウムエピタキシャルウェハの開発 - 白石 誠司（京大）
オーソドックスな半導体とエキゾチックな半導体を舞台にしたスピン流輸 - 谷川 智之（東北大）
多光子励起過程を用いたGaN結晶の三次元蛍光イメージング - 林 好一（名工大）
蛍光X線ホログラフィーによる電子材料ドーパントの構造評価 - 美濃浦 優一（富士通研）
高出力GaN HEMTの開発（仮）
スペシャルセッション
「二次元層状物質研究の最前線」
グラフェンに関する研究でノーベル賞を受賞したガイムらにより，2013年にファンデルワールス（vdW）ヘテロ構造が提案されています．原子レベルで完全に平坦な界面を得られる物質はグラフェンだけではありません．遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）や黒燐など多彩な特性を持つ物質系があります．vdWヘテロ構造は，それらの異なる特性を有する原子層が自由に構成される量子構造により新しい現象を見出そうとする壮大な構想です．スペシャルセッションでは二次元層状物質の最前線として，その基礎から結晶成長，光物性，そしてデバイス応用まで幅広い分野でご活躍されている先生方をお迎えし，vdWヘテロ構造による新機能デバイス創成の可能性を議論したいと思います．
チュートリアル講演
- 町田 友樹（東大）
二次元結晶ファンデルワールス接合の作製と複合原子層科学への展開
招待講演
- 上野 啓司（埼玉大）
二次元層状薄膜のヘテロエピタキシャル成長 - 河野 行雄（東工大）
ナノカーボン材料によるテラヘルツデバイス・計測：物質・バイオ分析への応用（仮） - 松田 一成（京大）
原子層二次元半導体および人工ヘテロ構造の光科学とその応用に向けて（仮）
ランプセッション
「儲かってまっせ！元気な化合物半導体ビジネス」
日本の半導体，元気ないようですが，儲かってる化合物半導体もあるのです！プロジェクター用で大盛り上がりのGaN系レーザーダイオード，iphoneXの顔認証で大活躍のVCSEL，携帯電話基地局のキーデバイスGaN HEMT，そしてあらゆるモーターに搭載されているホール効果素子，元気な化合物半導体デバイスのビジネス最前線について，企業の研究開発の方を中心にお呼びしています．さあ，儲かる秘密は何か？
オーガナイザー
乙木 洋平（サイオクス），須田 淳（名大）
パネラー
- 小山 二三夫（東工大）
- 長濱 慎一（日亜化学）
- 上之 康一郎（旭化成エレクトロニクス）
- 八巻 史一（SEDI）
【順不同敬称略】