会期および会場
- 会期：2024年10月2日（水）～ 4日（金）
- 会場：グランドメルキュール奈良橿原 (奈良県橿原市）
プログラム
プレナリー講演
- 藤原 康文 （立命館大学 教授）
半導体イントラセンター・フォトニクス ～ブレイクスルーからイノベーションへ～
一般セッション
- 久志本 真希（名古屋大学）
深紫外半導体レーザの最先端
- 熊谷 義直（東京農工大学）
有機金属気相成長法を用いたβ-Ga2O3層の成長
- 乙木 洋平（名古屋大学）
化合物半導体”産業化”（社会実装）のポイントと指針
- 若宮 淳志（京都大学）
ペロブスカイト太陽電池の実用化に向けた電子材料開発
- 田中 啓文（九州工業大学）
ナノマテリアルランダムネットワークを利用したリザバー演算素子と知能システム応用
- 谷山 智康（名古屋大学）
界面マルチフェロイク材料の探索と機能開拓
スペシャルセッション
「 パワーデバイス応用に向けたワイドバンドギャップ材料へのドーピング技術」
SiCやGaNなどのワイドギャップ(WBG)半導体、Ga2O3やAlN、ダイヤモンドなどのウルトラワイドギャップ(UWBG)半導体は次世代あるいは次々世代パワーデバイス用材料として注目を集め、研究開発が活発化している。しかしながら、WBG/UWBG半導体の宿命として、ドーピング自体の困難さ、深いドナー/アクセプタ準位などの問題がある。本セッションでは、パワーデバイスの動作原理や設計の観点でドーピングに求められる役割や特性についてのチュートリアル講演に続いて、窒化物半導体、酸化物半導体、ダイヤモンドのドーピングに関するユニークな取り組みについて4人の招待講演者から解説をして頂きます。材料を横断した議論、デバイス応用の観点からドーピングにどう向き合えば良いか、皆さんで議論しましょう。
スペシャルセッション・チュートリアル
- 須田 淳（名古屋大学）
パワーデバイスにおけるドーピングの役割と求められる特性
スペシャルセッション・招待講演
- 竹内 哲也、岩谷 素顕、上山 智（名城大学）
窒化物半導体の分極ドーピング
- 金子 健太郎（立命館大学）
両伝導型UWBG酸化物 二酸化ゲルマニウムの可能性 -酸化物パワー半導体が抱えるp型問題解決の糸口-
- 藤岡 洋（東京大学）
スパッタリングを用いた窒化物半導体への高濃度ドーピング技術
- 加藤 宙光（産業技術総合研究所）
マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンド半導体への不純物ドーピング
ランプセッション
「 理工系研究者の多様なキャリアパスを考える」
学生の皆さんにとって自身の就職先を決める過程は、人生を決める分岐点の一つです。研究者としては企業以外にも大学や国研などの研究機関に進むキャリアパスも候補として挙げられることから、幅広い選択肢が目の前にあります。そのような中、過去に人生の分岐点に向き合い決断し、現在も活躍されている先人の経験、考えは後進の道しるべとして貴重な話となります。今年のランプセッションでは、企業・大学・国研の現役職員をお招きし、ご自身の体験談を語ってもらいます。 談話を通じ、学部生・大学院生にフェアにそれぞれのポジションを比較し、自身の進路を決める一助としてもらうことを期待します。