EMS38(奈良県橿原市)

会期および会場

  • 会期:2019年10月9日(水)~ 11日(金)
  • 会場:THE KASHIHARA(奈良県橿原市)

プログラム

プレナリー講演

  • 岸野 克巳(上智大)
    可視域ナノコラム発光デバイスの研究動向-マイクロLEDへの新展開-

一般講演

招待講演

  • 寒川 義裕(九州大)
    GaN MOVPEにおける不純物混入機構の理論解析
  • 南條 拓真(三菱電機)
    エッチングレスで作製するノーマリオフ型GaN MOS-HFET
  • 濱口 達史(ソニー)
    凹面鏡を用いた窒化物面発光レーザ
  • 三石 和貴(物材機構)
    電子顕微鏡による電子材料評価技術の最近の発展
  • 三宅 秀人(三重大)
    深紫外LED応用のための高結晶性AlN/サファイア開発
  • 宮坂 力(桐蔭横浜大)
    ハライドペロブスカイトを用いる太陽電池の高効率化と耐久性開発
  • 渡邉 一世(情報通信機構)
    テラヘルツ波帯無線通信に向けた化合物半導体デバイスの研究開発

チュートリアル講演

  • 磯谷 順一(筑波大)
    ダイヤモンドのNVセンターの特性・作製法から量子デバイスへの応用

スペシャルセッション
「 ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイスの最前線」

 次世代パワーデバイスとして期待されるワイドギャップ半導体パワーデバイス. SiCパワーMOSFETが鉄道に相次いで採用され, GaN/SiC横型パワーデバイスを使った超小型ACアダプターが発売されるなど徐々に社会に広がりつつあります. 一方, その先を見据えた最先端の研究開発もここ数年間に大きな進展がありました. SiC, GaN, Ga2O3それぞれの代表的な研究者に研究開発の動向や今後の展望について講演頂きます.

  • 加地 徹(名大)
    GaN縦型デバイス作製プロセスの進展
  • 四戸 孝(FLOSFIA)
    ミストドライ法(R)によるコランダム構造酸化ガリウムパワー半導体の進展
  • 米澤 喜幸(産総研)
    SiCパワーデバイスの最先端

ランプセッション
「研究テーマを変える時~変えるきっかけは何だったのか、変えた時期をどう乗り越えたか~」

 学生や若手研究者が目標にしている, 各分野を先導する研究リーダーの方々ですが, その研究経歴を聞いてみると学生時代から全く同じテーマで研究をつづけてきた人はほとんどいません. ある人は徐々に軸足を移してじわじわと, ある人は何かを契機として大転換を行って, テーマを変え, 大きな成果をあげて現在の立場に至っています. 今年のランプセッションは, 電子材料シンポジウム, あるいはその前身の混晶エレクトロニクスシンポジウムと関係の深い幅広い年代の研究者をお招きして研究テーマの変遷について語っていただきます.
 有名な先生方が10年, 20年前にはまったく別のことをやっていたなど, 驚くと思います. テーマを変えて成果が出るまでの苦しさ, 変えるきっかけなど会場からの率直な質問を歓迎します.

オーガナイザー

須田 淳(名大)

パネラー

  • 藤田 静雄(京大)
  • 藤原 康文(阪大)

サテライトイベント(10月8日,12日)

 今回初めての試みとして,EMS会期前日および後日に,サテライトイベントを実施します.

10月8日(火)「若手研究者によるチュートリアル」16:30~19:00

講師
  • 石井 良太(京大) 窒化物半導体光物性
  • 金子 健太郎(京大) 半導体材料探索
  • 館林 潤(阪大) ナノワイヤフォトニクス

10月12日(土)「個別研究相談・討論会」9:30~11:00

講師
  • 藤田 静雄(京大)
  • 藤原 康文(阪大), 他

【順不同敬称略】

組織