各種電子材料の基礎全般とナノテクノロジー、それらのエレクトロニクスへの応用全般を対象とします。
対象となる材料系の例
半導体（III-V、II-VI、Si、SiGe、SiC、ダイヤモンドなど）を中心とする無機、有機機能性材料、金属、誘電体、超伝導体、磁性体、およびそれらの複合系、低次元系、カーボンナノマテリアル
対象とする研究分野の例
- 結晶成長・薄膜形成技術
- 成長技術，成長機構
- 成長その場観察等
- 材料物性
- 新材料・新物質物性
- 構造物性、計算機物性、電子・光・磁気物性、ドーピング
- 表面・界面（半導体へテロ接合界面、半導体/金属界面、半導体/絶縁体界面等）
- 量子効果（超格子、量子井戸、量子細線、量子箱等）
- 評価技術
- プロセス技術
- 絶縁膜（ゲート、パッシベーション、low-k、high-k）、電極材料、配線材料、表面清浄化、エッチング、ドーピング、ウェハ張り合わせ等
- デバイス
- 超高速デバイス、パワーデバイス、電子デバイス、光デバイス、量子効果及びナノ構造デバイス、スピントロニクスデバイス、量子コ ンピューティング、新しい応用およびデバイスの提案、実用化や量産化への展望・問題点等
サテライトテーマ
本シンポジウムでは、上に挙げた「論文募集の対象分野」に加え、電子材料分野の裾野をより一層拡げることを目的として、話題性の高い材料についてタイムリーかつ活発な議論の場を設けるため、以下のようなサテライトテーマを設定しています。有意義な議論の場となりますので、積極的な論文投稿を歓迎します。
論文投稿の際は、一般投稿と同様に「論文募集の対象分野」から最も近い分野を選択して投稿してください。内容に応じて、論文委員会において活発な議論が行えるようプログラムを編成します。
- 窒化物半導体
- ワイドギャップ半導体
- ダイヤモンド（電子デバイス、量子応用）
- 原子層材料
- 半導体シリサイド
- 有機・無機ハイブリッド（ペロブスカイト系材料）
- 有機エレクトロニクス，フレキシブルエレクトロニクス，プリンテッドエレクトロニクス
- 酸化物エレクトロニクス
- スピントロニクス
- バイオセンサー
- シリコン系太陽電池
- 化合物半導体太陽電池
- コンピューティンクスアプローチ