会期および会場
- 会期：2013年7月10日(水) ～ 12日(金)
- 会場：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県守山市）
プログラム
EMS32の全プログラムはこちら（PDFリンク)
プレナリー講演
- 尾鍋 研太郎（東大）
「混晶半導体の熱力学と薄膜成長」
一般セッション
招待講演
- 雲見 日出也（東工大）
「酸化物半導体薄膜トランジスタの進展」 - 冨岡 克広（北大）
「III-V/Siヘテロ接合界面ナノワイヤトンネルFET」 - 尾辻 泰一（東北大）
「グラフェンプラズモンとそのテラヘルツ応用」 - 藤本 辰雄（新日鐵住金）
「昇華再結晶法によるSiC単結晶とその応用」 - 松尾 慎治（NTT）
「光インターコネクションに向けたフォトニック結晶レーザの開発」
スペシャルセッション
「パワーデバイスの新展開－見えてきた実戦投入－」
近年の地球温暖化への対応をはじめとして人類の持続的成長のためには，エネルギー利用効率の大幅な向上が必須である．このような背景の下，ワイドギャップ半導体を用いたパワーデバイスの研究開発が急速に進み，実用化が始まりつつある．今回のスペシャルセッションでは，Si、SiC、III族窒化物、酸化物半導体によるパワーデバイス開発の現状と将来展望について，国内研究の第一人者の方々を招いて，紹介していただけるセッションとして企画しました．ご期待下さい．
チュートリアルレクチャー
- 奥村 元（産総研）
「パワーエレクトロニクスの現状と将来展望」
招待講演
- 山本 秀和（千葉工大）
「パワーデバイス用Siへの要求とその達成方法および解析事例」 - 加地 徹（豊田中研）
「GaNパワーデバイスへの期待および現状と課題」 - 佐々木 公平（タムラ製作所）
「酸化ガリウムパワーデバイスの開発」 - 大塚 健一（三菱電機）
「SiCパワーデバイスと応用分野」
ランプセッション
「理工系学生・研究者のキャリアデザイン」
これまで我が国の高度経済成長時代においては，高校生が理工学部に入学すると，4年生で研究室に配属され，大学院修士課程に進学し，大企業の研究所に就職するというキャリアパスが大部分で，一部の学生が博士課程進学・アカデミックポストを目指していたように思われます．一方，昨今では企業等の状況が大きく変わり，多様なキャリアパスが考えられるようになりました．しかしながら，実際に自分自身のキャリアをデザインする時期になると，ネームバリューや安定性を重視する旧来型のパターンに大きく影響を受けている学生が多く見受けられます．終身雇用の衰退，ポスドク問題などの制度・システムの変化の中で，将来に対する不安を抱いている学生や若手研究者も少なくないと思います．本ランプセッションでは，ベンチャー起業等，様々な新しい選択肢があるにも関わらず，それらに関心をあまり持てない，また関心があっても思ったようには選択できないといった原因を分析し，どのようにすれば，学生や若手研究者が，自分自身が本当に希望する，もしくは自分に合っていると思われるキャリアを自ら自信を持ってデザインできるのかに関して議論を行います．若手研究者のみならず多くの企業の方々にもEMS-32に参加し，ランプセッションを盛り上げていただきたいと思います．
オーガナイザー
- 森 勇介（阪大）
パネラー
- 岡田 穣治（スペクトロニクス社長（元キーエンス））
- 戸倉 毅（大阪大学特任教授（元JEITA関西支部事務局長、元パナソニック、元東京大学助手））
- 伊勢村 雅士（伊藤忠プラスチックス（元住友化学））
- 金子 健太郎（京都大学工学研究科学振PD）
- 影山 健生（QDレーザ（元古河電工、元Bandwidth9））
- 三宅 秀人（三重大学）
司会進行
- 森 勇介（大阪大学）
- 根岸 和政（㈱創晶應心、大阪大学「心の相談窓口」担当）
【順不同敬称略】