会期および会場
- 会期：2016年7月6日(水) ～ 8日(金)
- 会場：ラフォーレ琵琶湖（滋賀県守山市）
プログラム
EMS35の全プログラムはこちら（PDFリンク)
プレナリー講演
- 福井 孝志（北大）
「半導体ナノワイヤの成長とその応用」
一般セッション
招待講演
- 鎌田 俊英 （産総研）
「プリンテッドエレクトロニクスによるフレキシブルデバイス技術の開発」 - 喜多 浩之（東大），平井 悠久（東大），藤野 雄貴（東大），梶房 裕之（東大）
「4H-SiCの熱酸化過程の理解に基づくMOS特性の制御とその課題」 - 杉本 広紀（ソーラーフロンティア）
「CIGS太陽電池の現状と今後の展望」 - 高橋 正光（原子力開発機構），佐々木 拓生（原子力開発機構）
「放射光Ｘ線によるエピタキシャル界面形成過程のその場測定」 - 竹内 繁樹（京大）
「量子情報技術の先端計測への応用」 - 東脇 正高（情通機構），倉又 朗人（タムラ製作所），村上 尚（農工大），熊谷 義直（農工大）
「酸化ガリウムパワーデバイス開発の最近の進展」
35回記念スペシャルセッション
「半導体レーザの最前線」
半導体レーザは，1962年には複数の研究グループによってほぼ同時期に生み出されました．最初のブレークスルーはダブルヘテロ構造の実現よる室温連続発振で，これは材料開発の代表的な成功例の一つです．その後，DFBレーザによる単一縦モード発振とInP系材料による近赤外発振などを経て，1980年代，光ファイバによる情報通信に用いられるようになりました．これは現在，半導体レーザの最も成功した応用分野です．その後も，材料開発や新規構造の導入とともに性能が向上するだけでなく，発振波長範囲が近赤外・可視光はもとより，遠赤外から深紫外まで広がることとなりました．現在，以上のような技術革新を経て，レーザの応用範囲は爆発的に広がっており，枚挙に暇がありません．今回は，半導体レーザの初期から研究・開発に携っていらっしゃった末松安晴先生にスペシャルチュートリアルとして講演いただくとともに，半導体レーザの最前線で開発とその応用に向けて研究されている方々をお呼びし，半導体レーザの最先端と将来の展望について，材料開発や光情報通信を含めて講演いただくようお願いいたしました．ご期待下さい．
スペシャルチュートリアルレクチャー
- 末松 安晴（東工大栄誉教授）
「システム、デバイス、そして材料～光ファイバ通信の教訓から～」
招待講演
- 幸田 倫太郎（ソニー），河野 俊介（ソニー），風田川 統之（ソニー），成井 啓修（ソニー）
「GaN系パルス光源」 - 菅原 充（QDレーザ）
「通信・産業用・民生用の新しい半導体レーザとその応用」 - 東盛 裕一（ツルギフォトニクス財団）
「通信用半導体レーザの進展状況（光集積技術の観点から）」
ランプセッション
「IoT社会を支えるエネルギーハーベスティング技術」
M2M（Machine to Machine）やIoT（Internet of Things）が急速に発展し，トリリオンセンサーユニバースによって収集されるビッグデータが，地球規模の問題や生命体の変化の情報を得るための重要な技術として期待され，それによって身の回りのビジネス環境が大きく変化しようとしています．我が国には最先端のセンシング技術で世界を牽引している分野が数多くみられるものの，それらのセンシングネットワークを支える自立電源としてのエナジーハーベスティング技術は，大きく遅れているのが現状です．今回のランプセッションでは，発電・蓄電技術とそれらの制御回路，その電力によって駆動するアプリケーション（センサー，メモリ搭載プロセッサ，無線通信回路）の現状を概観し，エネルギーハーベスティング技術の市場動向を展望します．これから大きく伸びていく産業の中で，電子材料・デバイス関係者が新しい研究の芽を見つけ出せるパネルセッションを目指します．
オーガナイザー
- 杉山 正和（東大），藤村 紀文（大阪府立大）
パネラー
- 秋永 広幸（産総研）：モデレータ
- 内田 健一（東北大）
- 彦坂 幸信（富士通セミコンダクター）
- 竹内 敬治 (NTTデータ経営研)
- 吉村 武（大阪府立大）
【順不同敬称略】